Фазовые переходы в сильно анизотропных тройных кристаллах TlGaSe2, исследованные методом оптической спектроскопии высокого разрешения
DOI:
https://doi.org/10.52171/herald.279Ключевые слова:
двумерные материалы, слоистые полупроводники, динамика кристаллической решетки, фазовые переходы, тройные халькогениды, фононы, инфракрасное излучениеАннотация
Исследована инфракрасная и терагерцовая (ТГц) спектроскопия кристаллов TlGaSe2 в широком диапазоне температур (3 325 К). Обнаружено появление новых фононных мод в спектрах TlGaSe2 ниже температуры T = 120 К, обусловленное структурным фазовым переходом; фононные параметры исследуемого кристалла выявили особенности при температурах 30 К, 60 К и 92,5 К. Наблюдаемые аномалии были объяснены как связанные с реакцией фононов на формирование антисегнетоэлектрической структуры и изменением последней в зависимости от температуры. Расщепление некоторых фононных мод при 60 К может происходить из-за нарушения симметрии из-за усиления взаимодействия между двумя полярными подрешетками.
Опубликован
Как цитировать
Выпуск
Раздел
Лицензия
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.
